近日国荣配资，维信诺参股子公司辰显光电在国际电工委员会（IEC）牵头制定的国际标准提案《半导体器件 第5-17部分：光电子器件 发光二极管 微型发光二极管阵列器件光电参数测试方法》通过了新工作项目提案（NP）投票。NP投票是国际标准从提案建议阶段进入正式起草阶段的重要节点，通常由国家成员体提出申请，国际标准化组织按照“一国一票”的原则组织各成员国进行投票表决。这是Micro-LED领域首个申请并成功立项的国际标准，也是Micro-LED方向我国主导的第一个国际标准，具有里程碑意义。
此项国际标准明确了Micro-LED阵列光电参数的标准化测量条件和测量方法，将解决长期以来Micro-LED光电参数测试方法不统一的行业痛点。该标准将为Micro-LED显示器件的生产制造、检验检测及国际贸易交流提供统一的技术依据国荣配资，对于确保Micro-LED产品的品质与性能一致性具有关键支撑作用。
近年来，Micro-LED因其高亮度、低功耗、自发光等优势受到广泛关注，有望成为新一代主流显示技术。在Micro-LED制程中，混bin（参数分选）工艺对品质管控至关重要，其本质是通过光电参数测试，对不同波长、亮度的LED精准分级以匹配应用需求。这是实现Micro-LED光学参数一致性调控的关键环节，将直接影响显示的均一性与良率提升。而随着Micro-LED芯片的微缩化，传统的测试方案难以满足需求。
面对这一行业挑战，辰显光电通过创新性地采用选择性巨量转移技术制备电驱动的Micro-LED测试阵列，实现了快速、批量测试Micro-LED的亮度长/短程均匀性、色度均匀性等关键光电参数。这相当于建立了一个高效且精确的“数据库”，极大地便利了混bin工序对不同特性LED的精准分类与匹配，从而有效解决了Micro-LED光学均一性不足等问题国荣配资，为生产高性能Micro-LED显示屏奠定了标准基础。
产业发展，标准先行。近年来，中、日、韩纷纷开启Micro-LED产业和标准布局，抢占国际标准话语权势在必行。此外，工业和信息化部等印发的《电子信息制造业2023-2024年稳增长行动方案》中明确指出推动微发光二极管显示器件（Micro-LED）等扩大应用。国家标准化管理委员会等四部门印发的《新产业标准化领航工程实施方案（2023—2035年）》中也明确提出，全面推进新兴产业标准体系建设，在未来显示中强调研制Micro-LED显示等关键技术标准。
除辰显光电外，中国电子技术标准化研究院等研究机构和产业上下游企业共同参与了标准制定。此项国际标准将推动Micro-LED显示技术的标准化、规范化进程，提升我国在半导体显示器件领域的话语权和国际影响力。
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